一. 半导体制造工序

1.1 前道工艺（晶圆制造）

（1）目的：在空白晶圆上完成晶体管、金属互连线路构建，生成具备电路功能的裸芯片（Die）。

（2）主要步骤：薄膜沉积→光刻显影→刻蚀→离子注入→CMP抛光，需重复上百次循环来完成芯片结构的层层构建。

1.2 后道工艺（封装测试）

（1）目的：将前道产出的合格裸芯片封装为标准化成品，并完成功能、可靠性测试，确保符合出厂要求。

（2）主要步骤：晶圆中测（CP）→晶圆减薄→晶圆切割→固晶贴装→引线键合→塑封成型→成品终测（FT）。

二. 后道环节材料

2.1 封装基板

（1）作用：裸芯片与PCB的互联载体，承担电气连接、机械支撑、散热防护等功能。

（2）种类：BT载板(中低端芯片场景）、ABF载板（GPU等高端场景）、陶瓷基板（散热效率高，光模块场景）、玻璃基板（平整度高、信号损耗低，产业化初期）。

（3）海外头部：新光电气（日）、揖斐电（日）、京瓷（日）、三星电机（韩）。

（4）国内头部：深南电路、兴森科技、中瓷电子、科翔股份。

2.2 电气互连材料

（1）作用：实现芯片焊盘与引线框架/载板的电气连接，决定芯片的信号传输性能。

（2）种类：键合丝（金丝、铜丝、合金丝）、引线框架（承载芯片并引出引脚）、焊料球（锡球、铜柱凸块、微凸块）。

（3）海外头部：田中贵金属（日）、三井高科技（日）、新光电气（日）、千住金属（日）。

（4）国内头部：康强电子、新恒汇。

2.3 键合胶/固晶胶

（1）作用：将切割后的裸芯片精准粘接固定在引线框架或封装基板上。

（2）种类：导电固晶胶(功率半导体）、绝缘固晶胶（逻辑/模拟/存储芯片）、临时键合胶（先进封装专用）。

（3）海外头部：汉高（德）、日立化成（日）、日东电工（日）、3M（美）。

（4）国内头部：鼎龙股份、德邦科技。

2.4 塑封料

（1）作用：包裹芯片、键合线等内部结构，提供物理防护、防潮、绝缘、散热等功能。

（2）种类：环氧塑封料（EMC）、颗粒状塑封料（GMC）、液态塑封料（LMC）。

（3）海外头部：住友电木（日）、日立化成（日）、昭和电工（日）。

（4）国内头部：华海诚科、飞凯材料。

2.5 探针卡

（1）作用：CP测试核心耗材，通过探针接触晶圆焊盘传输测试信号。

（2）种类：高度定制化，不同芯片的制程、焊盘、引脚、测试需求完全不同，必须一对一设计。

（3）海外头部：FormFactor（美）、Technoprobe（意）、JEM（日）、MJC（日）。

（4）国内头部：强一股份、和林微纳。